1 | 1707WJ0001 | 128G、480G自主通用型交换芯片系列 | 共2个品种：
主要功能描述：支持VLAN，支持超长帧≥9kb，支持Ipv4和IPv6。
品种1：中央报文缓存区≥2MB；可配置支持48个1G+8个10G端口或12个10G端口。
品种2：中央报文缓存区≥6MB，支持VxLan，可配置支持48个10G或32个10G+4个40G端口。 |
2 | 1707WJ0002 | 20G、40G网络处理器芯片系列 | 共2个品种：
主要功能描述：支持多级流表，支持处理资源动态映射与调度。
品种1：单向包处理能力20G，包转发率28MPPS，可配置支持2个10G接口或1个10G接口+10个1G接口两种模式。
品种2：单向包处理能力40G，包转发率56MPPS，可配置支持4个10G接口或2个10G接口+20个1G接口两种模式。 |
3 | 1707WJ0003 | 高速以太网接口及控制电路 | 共7个品种：
品种1：支持10BASE-T/100BASE-TX/1000BASE-T以太网电接口；支持100BASE-FX/1000BASE-X以太网光接口；支持同步以太网功能。
品种2：10/100/1000BASE-TGigabitPHY芯片，支持GMII，RGMII，SGMII，SerDes，TBI，RTBI和MII；MAC多种模式接口。
品种3：支持2.5G以太网数据传输；支持低功耗模式；支持MDIO接口；支持引脚配置功能。
品种4：支持5G以太网数据传输；支持低功耗模式；支持MDIO接口；支持引脚配置功能。
品种5：支持10G以太网数据传输。接口速率：12.5Gbps；支持低功耗模式。
品种6：千兆网卡芯片；电源电压V：I/O：3.3；内核V：1.2；功耗W：≤3。
品种7：四路1000Base-X高速接口，具备1路MDIO接口；具有冗余时分总线控制，支持16路交换；具有CotexM3内核，主频不小于70MHz。 |
4 | 1707WJ0004 | 通用高性能图形处理器（GPU） | 1个品种：
单精度浮点性能：2000（GFlops）；像素填充率：32（GPixels/s）；纹理填充率：64（GT/s）。 |
5 | 1707WJ0005 | 军用多核64位处理器（CPU） | 1个品种：
集成4个处理器核；内核工作频率：1200MHz；DDR3工作频率：500MHz。 |
6 | 1707WJ0006 | 高性能多核64位处理器（CPU） | 1个品种：
集成4个高性能64位处理器核；主频2.2GHz；L1指令和数据Cache分别不小于32KB；L2 Cache不小于4MB。 |
7 | 1707WJ0007 | 高性能嵌入式多核32位处理器（CPU） | 1个品种：
最高主频：1.2GHz，集成4核；I-Cache：32KB，D-Cache：32KB。 |
8 | 1707WJ0008 | 高性能通用控制器 | 1个品种：
芯片集成2个基于64位处理核心，支持双精度浮点，一级缓存128KB，二级缓存512KB，核心工作频率500MHz。 |
9 | 1707WJ0009 | 高可靠航发控制系统用微控制器 | 1个品种：
工作主频：不低于132MHz；2MB的Flash、256KB的SRAM，具有ECC功能。 |
10 | 1707WJ0010 | 敌我识别中频信号处理器芯片 | 1个品种：
数据输入：14bit，数据采样率：≥150MSPS；数据输出：16bit，速率：≥160Mbps；内核处理工作频率：≥150MSPS。 |
11 | 1707WJ0011 | 3D封装DDR SDRAM系列 | 共4个品种：
品种1：1Gbit；位宽：64bit；工作电压：2.5V±0.2V。
品种2：1Gbit；位宽：72bit；工作电压：2.5V±0.2V。
品种3：2Gbit；位宽：64bit；工作电压：2.5V±0.2V。
品种4：2Gbit；位宽：72bit；工作电压：2.5V±0.2V。 |
12 | 1707WJ0012 | 12.5Gbps超低传输延时收发芯片 | 共2个品种：
品种1：发送芯片。串行数据率：12.5Gbps；LVDS输入时钟频率：625MHz；传输延迟：≤20ns。 品种2：接收芯片。串行数据率：12.5Gbps；传输延迟：≤20ns。 |
13 | 1707WJ0013 | 低功耗高速收发器系列 | 共3个品种：
品种1、品种2、品种3：数据率：8、12.5、16Gbps；输入数据位宽：40、32、20、16bit可编程；发送端输出摆幅：150～1200mV可编程。 |
14 | 1707WJ0014 | PCIE3.0接口电路 | 1个品种：
集成26lanePCIE3.0通道，最多可以支持6个PCIE3.0端口；支持3D/2D图形显示及两路显示输出接口。 |
15 | 1707WJ0015 | 10位AD转换器 | 1个品种：
最高支持采样率5GSPS；10bit采样位数。 |
16 | 1707WJ0016 | 宽带AD转换器 | 共2个品种：
品种1：分辨率：12Bit；最高采样率：3GSPS。
品种2：分辨率：14Bit；最高采样率：1.25GSPS。 |
17 | 1707WJ0017 | 24位超高精度AD转换器系列 | 共3个品种：
品种1、品种2：高性能24位高精度ADC，分辨率24位；速率：625Ksps；最大时钟频率：40MHz。
品种3：分辨率：24位，采样速率≤144ksps。 |
18 | 1707WJ0018 | 高速AD转换器 | 共2个品种：
产品1：双通道；2.5GSPS，12bit分辨率。
产品2：双通道；分辨率14比特，采样率1.25GSPS。 |
19 | 1707WJ0019 | 高速、高压DA转换器系列 | 共4个品种：
品种1：采样率：12GSa/s；分辨率：12bit；带宽：DC～4.8GHz。
品种2：多输出模式16位6GSPS/12GSPSRF-DAC；分辨率：16Bit；最高转换速率：12GSPS。
品种3：集成DDS功能的16位12GSPSRF-DAC；DAC分辨率：16Bit；最高转换速率：12GSPS。
品种4：4通道16位DAC芯片；电流输出范围：0-20mA、4-20mA、0-24mA；电压输出范围：0-5V、0-10V、±5V、±10V。 |
20 | 1707WJ0020 | 低延迟LVDS接口高速AD/DA转换器 | 共2个品种：
品种1：12位1.5GSPSADC，采用低延迟转换结构，并行LVDS接口输出；延时：≤5clockcycles。
品种2：12位3GSPSDAC，采用低延迟转换结构，并行LVDS接口输入；延时：≤3.5clockcycles。 |
21 | 1707WJ0021 | 谐振控制器 | 共3个品种：
品种1、品种2、品种3：工作电压：12V～20V；基准电压：4.85V～5.15V；运放输入失调电压：-10mV～10mV；电源电流：≤32mAV。 |
22 | 1707WJ0022 | 数字控制DC/DC电源转换器系列 | 共4个品种：
品种1：输出电压范围：0.54V～5.5V；输入电压范围：4.5V～14V；工作频率：200K～1.33MHz。
品种2：输出电压范围：0.6V～5V；输入电压范围：3V～14V；工作频率：200K～1.4MHz。
品种3：双输出，两相位数字DC/DC控制器：输入电压范围：4.5V～14V；输出电压范围：0.54V～5.5V。
品种4：单相同步整流降压型数字混合式DC/DC控制器：输入电压范围：4.5V～24V；输出电压范围：0.5V～5.5V；工作频率：0.26MHz～1.66MHz。 |
23 | 1707WJ0023 | 宽压大功率DC/DC电源转换器系列 | 共4个品种：
品种1：Vin输入电压范围：4.5V～18V；输出电压范围：0.76～7.0V；带载能力：4A。
品种2：Vin输入电压范围：4.5V～18V；输出电压范围：0.76～7.0V；带载能力：5A。
品种3：Vin输入电压范围：4.5V～18V；输出电压范围：0.76～7.0V；带载能力：6A。
品种4：Vin输入电压范围：4.5V～36V；输出电压范围：0.8～32V；带载能力：2A。 |
24 | 1707WJ0024 | 双通道数字控制DC/DC稳压器 | 共3个品种：
品种1：双通道9A数字电源，输入电压：4.5V～17V；输出电压：0.5V～5.5V。
品种2：双通道13A数字电源，输入电压：4.5V～26.5V；输出电压：0.5V～5.5V。
品种3：双通道18A数字电源，输入电压：4.5V～16V；输出电压：0.5V～1.8V。 |
25 | 1707WJ0025 | 超低噪声多通道电压调整器 | 共6个品种：
品种1、品种2、品种3：输出通道数：4、4、1；输出电压：可调；输出电压精度：±2%、±3%、±2%；输出电流mA：120、300、400；最高输入电压V：5.6、5.6、5.5。 品种4、品种5、品种6：输出通道数：1、1、1；输出电压V：2.5、5、3.3；输出电压精度：±3%、±3%、±2.4%；输出电流mA：100、100、500；最高输入电压V：20。 |
26 | 1707WJ0026 | 模拟开关电路系列 | 共7个品种：
品种1、品种2、品种3、品种4、品种5：MAX475X系列：导通电阻：≤1.0Ω；导通时间：≤150ns；关断时间：≤60ns；电源电压：1.8V～5.5V。
品种6：导通电阻：≤15Ω；导通时间：≤275ns；关断时间：≤235ns；电源电压：±4.5V～±20V；电源电流≤-5μA～5μA。
品种7：导通电阻：≤45Ω；导通时间：≤175ns；关断时间：≤145ns；电源电压：±4.5V～±20V；电源电流≤250μA。 |
27 | 1707WJ0027 | 高温电压调整器/电压比较器 | 共2个品种：
品种1：输入电压：5.5V～30V；输出电压：5V±5%。
品种2：工作电压：4.5V～5.5V；最大工作频率：25MHz。
工作温度：-55℃～175℃。 |
28 | 1707WJ0028 | 超宽带高速跟踪/采样保持电路 | 共2个品种：
品种1：最高采样率：4GSPS；输入带宽：≥18GHz；无杂散动态范围：≥53dBc@fin=8GHz；功耗：≤1.6W。
品种2：最高采样率：4GSPS；输入带宽：≥18GHz；无杂散动态范围：≥50dBc@fin=8GHz；功耗：≤2.5W。 |
29 | 1707WJ0029 | 电机驱动器系列 | 共4个品种：
品种1：双通道；内置MOSFET；最大电压90V；最大峰值输出电流1A；工作电压：8～14V。
品种2：双通道；内置MOSFET；最大电压100V；最大峰值输出电流2A；工作电压：8～14V。
品种3：双通道；内置MOSFET；最大电压24V；最大峰值输出电流2.5A；工作电压：8.2～45V。
品种4：双通道；内置MOSFET；最大电压24V；最大峰值输出电流6.0A；工作电压：8～52.5V。 |
30 | 1707WJ0030 | FLASH型可编程器件 | 1个品种：
最高频率：350MHz；IO电压：3.3V/2.5V/1.8V/1.5V；块RAM容量：≥144Kb；器件工艺：FLASH。 |
31 | 1707WJ0031 | 大动态高精度数字式单片陀螺仪信号调理电路 | 共2个品种：
品种1：量程：±300°/s～±1440°/s；支持的输入电容：0.1～16pF；线性度：18bits。
品种2：量程：±1440°/s～±3600°/s；支持的输入电容：0.1～16pF；线性度：16bits。 |
32 | 1707WJ0032 | 微小体积光纤陀螺信号处理SiP系列 | 共3个品种：
品种1：ADC分辨率：12bit；ADC采样率：≥40MHz；Y波导最大驱动电压：≥8V。
品种2：ADC分辨率：14bit；ADC采样率：≥10MHz；Y波导驱动最大电压：≥12V。
品种3：ADC分辨率：14bit；ADC采样率：≥40MHz；Y波导驱动最大电压：≥12V。 |
33 | 1707WH0001 | 数字控制270V输出AC/DC电源模块 | 共3个品种：
品种1：模块输入：三相三线85-140VrmsL-N；270V输出；非隔离；标准全砖。
品种2：模块输入：单相85-264VrmsL-N；270V输出；非隔离；标准全砖。
品种3：模块输入：输入三相三线304-456VrmsL-L；270V输出；非隔离；标准全砖。 |
34 | 1707WH0002 | 大功率AC/DC电源模块 | 共6个品种：
品种1、品种2、品种3：500W系列：输出电压：12V、28V、48V；最大输出电流：42A、18A、10.5A；交流输入：85-265VAC，47-63Hz。
品种4、品种5、品种6：1000W系列：输出电压：12V、28V、48V；最大输出电流：60A、36A、21A；交流输入：85-265VAC，47-63Hz。 |
35 | 1707WH0003 | 数字控制大功率DC/DC电源模块 | 共8个品种：
品种1、品种2、品种3、品种4：输出电压：5V，12V，15V，28V；输入电压范围：16V～40V；额定输入电压：28V。
品种5、品种6、品种7、品种8：输入电压：16V～40V；输出电流功率：50A/600W（12V/50A）、25A/600W（24V/25A）、22A/600W（28V/22A）、12.5A/600W（48V/12.5A）。 |
36 | 1707WH0004 | 3.6-36V输入电压DC/DC变换器 | 共6个品种：
品种1：输入电压3.6-36V，输出电压0.8-10V，最大输出电流1A。
品种2：输入电压3.6-36V，输出电压0.8-10V，最大输出电流2A。
品种3：输入电压3.6-36V，输出电压0.8-24V，最大输出电流3A。
品种4：输入电压3.6-36V，输出电压0.8-10V，最大输出电流1A。
品种5：输入电压3.6-36V，输出电压0.8-10V，最大输出电流2A。
品种6：输入电压3.6-36V，输出电压0.8-24V，最大输出电流3A。 |
37 | 1707WH0005 | 270V母线输入大功率DC/DC变换器系列 |
共8个品种：
品种1：输入电压：180V～375V；输出电压/电流：3.3V/90A。
品种2：输入电压：180V～375V；输出电压/电流：24V/30A。
品种3：输入电压：180V～375V；输出电压/电流：28V/25A。
品种4：输入电压：180V～375V；输出电压/电流：48V/15A。
品种5、品种6、品种7、品种8：输入电压160～400V；输出电压单路12V、15V、28V、±12V；输出电流：5A、4.33A、2.32A、2.5A。
|
38 | 1707WH0006 | 385V母线输入大功率DC/DC变换器系列 | 共4个品种：
品种1、品种2、品种3、品种4：输出电压：5V，12V，28V，36V；输入电压范围240V～425V，额定输入385V。 |
39 | 1707WH0007 | 输出电压可调稳压器系列 | 共2个品种：
品种1：输入电压范围：Vout+1V～26V；输出电流：5A；基准电压：1.22V～1.26V。
品种2：输入电压范围：Vout+1.5V～Vout+35V；输出电流：3A；基准电压：1.22V～1.27V。 |
40 | 1707WH0008 | EMI滤波器系列 | 共4个品种：
品种1：输入电压范围：0～50V；输出电流：0～15A。
品种2：输入电压范围：0～50V；输出电流：0～3A。
品种3：输入电压范围：0～50V；输出电流：0～1A。
品种4：输入电压范围：0～50V；输出电流：0～2A。 |
41 | 1707WQ0001 | 600V（25A-100A）系列IGBT芯片 | 共3个品种：
品种1：击穿电压：600V；电流：25A；阈值电压：5.0～6.5V。
品种2：击穿电压：600V；电流：50A；阈值电压：5.0～6.5V。
品种3：击穿电压：600V；电流：100A；阈值电压：5.0～6.5V。 |
42 | 1707WQ0002 | 1200V（25A-100A）系列IGBT芯片 | 共3个品种：
品种1：击穿电压：1200V；电流：25A；阈值电压：5.3～6.3V。
品种2：击穿电压：1200V；电流：50A；阈值电压：5.3～6.3V。
品种3：击穿电压：1200V；电流：100A；阈值电压：5.3～6.3V。 |
43 | 1707WQ0003 | 1200V(150A、200A)大电流IGBT芯片 | 共2个品种：
品种1：集电极发射极电流Ic：150A；集电极发射极反向击穿电压BVces：1200V；集电极发射极饱和压降Vcesat：2.15V。
品种2：集电极发射极电流Ic：200A；集电极发射极反向击穿电压BVces：1200V；集电极发射极饱和压降Vcesat：2.15V。 |
44 | 1707WQ0004 | 1700V（25A-100A）系列IGBT芯片 | 共3个品种：
品种1：击穿电压：1700V；电流：25A；阈值电压：5.2～6.4V。
品种2：击穿电压：1700V；电流：50A；阈值电压：5.2～6.4V。
品种3：击穿电压：1700V；电流：100A；阈值电压：5.2～6.4V。 |
45 | 1707WQ0005 | 1200V SiC混合IGBT半桥模块系列 | 3个品种：
品种1：集电极发射极电流Ic：300A；集电极-发射极电压VCES：1200V；集电极-发射极饱和电压VCEsat：1.75V。
品种2：集电极发射极电流Ic：450A；集电极-发射极电压VCES：1200V；集电极-发射极饱和电压VCEsat：1.8V。
品种3：集电极发射极电流Ic：600A；集电极-发射极电压VCES：1200V；集电极-发射极饱和电压VCEsat：1.8V。 |
46 | 1707WQ0006 | IGBT高压栅驱动芯片 | 共2个品种：
品种1、品种2：Voffset(MAX)：600V；Vin：10V‐20V；Io+/-：≥130/270mA，≥97/250mA；Ton/off：≤820/220ns，≤300/280ns。 |
47 | 1707WQ0007 | 军用大电流功率MOSFET | 共5个品种：
品种1：最大允许耗散功率：125W；漏源击穿电压：-100V；漏极电流：-31A。
品种2：最大允许耗散功率：330W；漏源击穿电压≥100V；漏极电流≤140A。
品种3：耗散功率：200W；栅源电压：VGS=±30V；漏源击穿电压：V(BR)DSS=650V。
品种4：VDSS650V，Rds(on)＜0.11Ω；ID45A；100%雪崩测试。
品种5：VDSS最小100V；最大通流：75A；PD：200W；VGS：±20；IDSS：250uA。 |
48 | 1707WQ0008 | 大电流肖特基功率二极管 | 共4个品种：
品种1：IF(AV)：45A；VRRM(PerLeg)≥100V；IFSM：400A。
品种2：IF(AV)：45A；VRRM(PerLeg)≥45V；IFSM：400A。
品种3：IF(AV)：90A；VRRM(PerLeg)≥100V；IFSM：250A。
品种4：IF(AV)：80A；VRRM(PerLeg)≥45V；IFSM：250A。 |
49 | 1707WQ0009 | 低损耗超级整流二极管系列 | 共4个品种：
品种1：击穿电压：150V；正向电压VF≤0.85V；正向电流：10A。
品种2：击穿电压：200V；正向电压VF≤0.85V；正向电流：10A。
品种3：击穿电压：250V；正向电压VF≤1.05V；正向电流：10A。
品种4：击穿电压：300V；正向电压VF≤1.05V；正向电流：10A。 |
50 | 1707WQ0010 | 1700V碳化硅肖特基二极管 | 共2个品种：
品种1：正向压降VF≤1.9V@IF=25A，Tj=25℃；反向漏电流IR≤200μA@VR=1700V，Tj=25℃；连续工作电流：50A。
品种2：正向压降VF≤2V@IF=25A，Tj=25℃；反向漏电流IR≤200μA@VR=1700V，Tj=25℃；连续工作电流：35A。 |
51 | 1707WW0001 | 宽带低噪声放大器MMIC | 共7个品种：
品种1：工作频率：0.2-2.0GHz，增益：20dB，P1dB≥20dBm。
品种2：工作频率：0.1-20GHz，增益：20dB，P1dB≥20dBm。
品种3：工作频率：20-40GHz，增益：20dB，P1dB≥17dBm。
品种4：工作频率：18-40 GHz；增益：9dB。
品种5：工作频率：40-75GHz；增益：15dB；噪声系数＜5dB。
品种6：工作频率：75-110GHz；增益：13dB； 噪声系数：＜5dB。
品种7：工作频率：92-96GHz；增益：18dB；噪声系数＜3dB。 |
52 | 1707WW0002 | 毫米波混频器MMIC | 共3个品种：
品种1：射频频率：40-75GHz；中频频率：0-1GHz。
品种2：射频频率：60-96GHz；中频频率：0-12GHz。
品种3：输入频率：75-110GHz；中频频率：0-12GHz。 |
53 | 1707WW0003 | 毫米波倍频器MMIC | 共2个品种：
品种1：输出频率：79-96GHz；输出功率：2-11dBm。
品种2：输出频率：75-110GHz；输出功率：2-11dBm。 |
54 | 1707WW0004 | W波段开关MMIC | 共4个品种：
品种1：SPST
开关频率：92-96GHz；插入损耗：1.6dB；隔离度：＞40dB。
品种2：SPST
开关频率：75-110GHz；插入损耗：2.0dB；隔离度：＞30dB。
品种3：SPDT
频率：92-96GHz；插入损耗：1.6dB；隔离度：＞30dB。
品种4：SPDT
频率：75-110GHz；插入损耗：2.5dB；隔离度：＞25dB。 |
55 | 1707WW0005 | W波段限幅器MMIC | 共2个品种：
品种1：
频率：92-96GHz，驻波：＜1.5；限幅电平：15dBm。
品种2：
频率：75-110GHz，驻波：＜2.0；限幅电平：15dBm。 |
56 | 1707WW0006 | 限幅低噪声放大器MMIC | 共5个品种：
品种1：1.2GHz～1.4GHz：增益≥35dB；噪声：≤1.0dB。
品种2：2.7GHz～3.5GHz：增益≥28dB；噪声：≤1.2dB。
品种3：5GHz～6GHz：增益≥24dB；噪声：≤1.3dB。
产品种4：8GHz～12GHz：增益≥23dB；噪声：≤1.8dB。
品种5：14GHz～18GHz：增益≥23dB；噪声：≤2.0dB。 |
57 | 1707WW0007 | GaAs变频多功能MMIC | 共3个品种：
品种1：8GHz-12GHz变频多功能系列（集成双向放大）技术指标：射频频率范围：8GHz-12GHz；本振频率范围：10GHz～16GHz；中频频率范围2GHz～4GHz。
品种2：6GHz-18GHz变频多功能（集成双向放大）射频频率范围：6GHz～18GHz；本振频率范围：6GHz～18GHz；中频频率范围DC～6GHz。
品种3：3GHz-4GHz变频多功能（集成双向放大）射频频率范围：3GHz～4GHz；本振频率范围：4GHz～5GHz；中频频率范围0.5GHz～1.5GHz。 |
58 | 1707WW0008 | 微波对数放大器 | 共2个品种：
品种1：主要功能描述：线性动态范围59dB（-54dBm到+5dBm），工作频率：0.1-20GHz。
品种2：主要功能描述：线性动态范围47dB（-49dBm到-2dBm），工作频率：18-42GHz。 |
59 | 1707WW0009 | 毫米波频率源 | 共2个品种：
品种1：输出频率：24GHz～32GHz；输出功率：0dBm；相位噪声：≤-90dBc/Hz@10kHz。
品种2：输出频率：32GHz～40GHz；输出功率：0dBm；相位噪声：≤-90dBc/Hz@10kHz。 |
60 | 1707WW0010 | 星载小型化宽带检测电路 | 共4个品种：
品种1：工作频段：1MHz～8GHz，平坦度：≤2dB，输入动态范围：-10～10dBm，最小脉宽：100ns。
品种2：工作频段：8～18GHz，平坦度：≤3dB，输入动态范围：-10～10dBm，最小脉宽：100ns。
品种3：工作频段：18～26.5GHz，平坦度：≤4dB，输入动态范围：-10～10dBm，最小脉宽：100ns。
品种4：工作频段：26.5～40GHz，平坦度：≤5dB，输入动态范围：-10～10dBm，最小脉宽：100ns。 |
61 | 1707WG0001 | 高灵敏度长波512×8数字化TDI红外探测器杜瓦组件 | 1个品种：
阵列规模：512×8；TDI像元数：8元参与3级TDI；光敏元尺寸（推扫方向×垂直推扫方向）：40μm×40μm。 |
62 | 1707WG0002 | 弹载用斯特林制冷机 | 共2个品种：
品种1：1W@80K制冷机：1.0W@80K/23℃，0.6W@80K/70℃。
品种2：1.5W@80K制冷机：1.5W@80K/23℃，1.0W@80K/70℃。
降温时间：1.5W@80K制冷机：≤10min@1440J/23℃，≤15min@1440J/70℃。 |
63 | 1707WG0003 | 低功耗即开即用型固体激光器 | 共2个品种：
品种1：输出波长：～1µm；脉冲能量≥80mJ；重复频率：20Hz。
品种2：输出波长：～1µm；脉冲能量：≥40mJ；重复频率：20Hz。 |
64 | 1707WG0004 | 974nm半导体激光器系列 | 共2个品种：
品种1：带制冷品种：峰值波长：～1µm；阈值电流：≤30mA；全温峰值波长变化nm：≤0.8。
品种2：无制冷品种：峰值波长：～1µm；阈值电流：≤30mA（室温）。 |
65 | 1707WG0005 | 200W半导体激光器芯片 | 1个品种：
额定输出功率：＞200W；中心波长：～1µm；光谱宽度(FWHM)：≤4nm；电光效率：＞60％（连续激光功率≥200W时）。 |
66 | 1707WG0006 | 超高速多路并行光收发组件 | 共4个品种：
品种1：并行电通道数：4；单通道速率：≥25Gbps；光接口：单路单模光纤；误码率：≤10-12。
品种2：通道数4；单通道速率≥25Gbps，波长850nm，消光比≥3dB。
品种3：通道数12；单通道速率≥25Gbps，波长850nm，消光比≥3dB。
品种4：通道数24；单通道速率≥25Gbps，波长850nm，消光比≥3dB。 |
67 | 1707WG0007 | 水下高速无线光通信组件 | 共1个品种：
单向传输速率：≥2.5 Gbps；出光功率：≥-3dBm。 |
68 | 1707WG0008 | 多芯多模柔软铠装光缆 | 共3个品种：
品种1、品种2、品种3：光纤类型：多模光纤；光纤数（根）：12、28、48；外径（mm）：≤3.5（12芯），≤9.5（28芯），≤11（48芯）；衰减系数（dB/km）：≤3.5(850nm)，≤1.5(1300nm)。 |
69 | 1707WG0009 | 高精度小型化光纤陀螺用薄涂覆层保偏光纤 | 共2个品种：
品种1：工作波长：1310nm；拍长：≤3mm；偏振串音：≤-25.0dB。
品种2：工作波长：1550nm；拍长：≤4.0mm；偏振串音：≤-25.0dB。 |
70 | 1707WG0010 | 超宽带精密可调光纤延时组件 | 共2个品种：
品种1：C波段可调光纤延时组件：工作频段：1GHz～6GHz；噪声系数：≤42dB；无杂散动态范围：≥106dB-Hz2/3。
品种2：Ku波段可调光纤延时组件：工作频段：6GHz～18GHz；噪声系数：≤40dB；无杂散动态范围：≥100dB-Hz2/3。 |
71 | 1707WG0011 | 高温光纤动态气压传感器 | 共3个品种：
品种1、品种2、品种3：压力测量范围 ：0MPa～6MPa、0MPa～10MPa、0MPa～30MPa；气压敏感部件工作温区：-40℃～800 ℃； |
72 | 1707WG0012 | 小尺寸高精细度液晶显示屏系列 | 共2个品种：
品种1：分辨率：1280×1024；有效显示面积（mm）：（35.52±0.5）×（28.42±0.5）；非均匀性：≤15%。
品种2：分辨率：1280×1024；有效显示面积（mm）：（75.366±0.15）×(60.293±0.15)。 |
73 | 1707WG0013 | 0.77英寸高亮度绿光硅基OLED微型显示器 | 共2个品种：
品种1：显示介质：单色AMOLED；有效显示面积：(15.360±0.005)mm×(12.290±0.005)mm；(0.77英寸)；分辨率：1280×1024。
品种2：显示介质：单色AMOLED；有效显示面积：(15.360±0.005)mm×(12.290±0.005)mm；(0.77英寸)；分辨率：1280×1024。 |
74 | 1707WZ0001 | 锌/空气燃料电池系列 | 共3个品种：
品种1、品种2、品种3：额定功率：50W、360W、500W；额定容量：不小于100Ah、不小于120Ah、不小于160Ah。 |
75 | 1707WZ0002 | 柔性高效太阳电池 | 1个品种：
转换效率（AM0，25℃）≥31%；开路电压≥2.9V。 |
76 | 1707WZ0003 | 环形铁芯有限转角力矩电机 | 共4个品种：
品种1：峰值堵转电压28.5V；峰值堵转电流≤1.5A；峰值堵转转矩≥0.01Nm。
品种2：峰值堵转电压24V；峰值堵转电流≤3A；峰值堵转转矩≥0.1Nm。
品种3：峰值堵转电压24V；峰值堵转电流≤4A；峰值堵转转矩≥0.2Nm。
品种4：峰值堵转电压28V；峰值堵转电流≤2.8A；峰值堵转转矩≥0.5Nm。 |
77 | 1707WZ0004 | 高功率密度无刷舵机电机 | 共4个品种：
品种1：外形尺寸：28；功率100W。
品种2：外形尺寸：36；功率600W。
品种3：外形尺寸：54；功率1000W。
品种4：外形尺寸：64；功率2000W。 |
78 | 1707WZ0005 | 高速永磁同步发电机 | 共6个品种：
品种1：额定转速：42000/min～52000r/min；额定电流：6.5A。
品种2：额定转速：90000r/min～125000r/min；输出通道数：1通道。
品种3：额定转速：30000r/min～55000r/min；额定电流：30A。
品种4：额定转速：4000r/min～8000r/min；输出通道数：1通道。
品种5：额定转速：45000/min；额定相电压：35.7V±5V。
品种6：额定转速：（47500±250）r/min；输出通道数：2通道。 |
79 | 1707WZ0006 | 多通道冗余抗短路发电机 | 共5个品种：
品种1：转速范围：0～21357r/min；输出通道数：3通道。
品种2：转速范围：0～8000r/min；输出通道数：2通道。
品种3：转速范围：2410r/min～23100r/min；输出通道数：2通道。
品种4：转速范围：0～27000r/min（100%）；输出通道数：5通道。
品种5：转速范围：0～14445r/min（100%）；输出通道数：2通道。 |
80 | 1707WZ0007 | 航天失电制动器 | 共4个品种：
品种1、品种2、品种3、品种4：静制动力矩：≥0.10～1.6N.m；额定直流电压：12～28V；制动器功率：2～5W。 |
81 | 1707WZ0008 | 旋转关节式射频同轴连接器组件 | 共2个品种：
品种1、品种2：采用标准SMA/SSMA接口，连接器组件径向旋转关节可240°内8节点自由限位固定。使用频率：DC～3GHz；插入损耗：≤1dB；特性阻抗：50Ω±2Ω。 |
82 | 1707WZ0009 | 气密封大功率射频同轴连接器 | 共5个品种：
品种1：频率范围0.05GHz～11GHz；电压驻波比≤1.35；插入损耗≤0.5dB。
品种2：频率范围0.05GHz～18GHz；电压驻波比≤1.5；插入损耗≤0.8dB。
品种3：频率范围0.05GHz～9GHz；电压驻波比≤1.35；插入损耗≤0.9dB。
品种4：频率范围0.05GHz～3GHz；电压驻波比≤1.35；插入损耗≤1.0dB。
品种5：频率范围0.05GHz～3GHz；电压驻波比≤1.35；插入损耗≤1.0dB。 |
83 | 1707WZ0010 | 10Gbps高速耐环境圆形高密度I/O连接器 | 共4个品种：
品种1、品种2、品种3、品种4：芯数：8，28，66，144；额定电流：3A；额定电压：30VDC；低电平接触电阻：＜20mΩ；传输速率：10Gbps。 |
84 | 1707WZ0011 | 盲插式带压插拔流体连接器 | 共3个品种：
品种1、品种2、品种3：通径为5mm、8mm、12mm的产品，特性功能为可实现0.6MPa以下带压插拔；工作压力：0—1.5MPa。 |
85 | 1707WZ0012 | 1394总线连接器 | 共8个品种：
品种1、品种2、品种3：芯数：4、8、12芯；特性阻抗：110Ω；传输速率：1.65Gbps；串扰：＜5%。
品种4、品种5、品种6、品种7、品种8：芯数：1芯、2芯、4芯、6芯、8芯；特性阻抗：110Ω；最大传输速率：400Mbps；额定电流：1A；插入损耗：≤0.25dB@250MHz。 |
86 | 1707WZ0013 | 高温密封电连接器 | 共3个品种：
品种1、品种2、品种3：接触体数量：3芯、4芯、8芯；工作温度-55℃～500℃。 |
87 | 1707WZ0014 | 深水光电连接器 | 共5个品种：
品种1、品种2、品种3、品种4、品种5：针孔排列方式：1光，2光2电，5光2电，4光4电，7光5电；耐压范围：不小于30MPa(min)。 |
88 | 1707WZ0015 | 高频双路旋转关节 | 共2个品种：
品种1：高频双路同轴旋转关节：支持频段：一个通道支持DC～30.0GHz。另一个通道支持DC～4.5GHz工作。
品种2：高频双路波导旋转关节：支持频段：1）Ku频段14.0～14.5GHz；2)Ka频段：29.40～31.00GHz。 |
89 | 1707WZ0016 | SMA、SMP同轴高频负载 | 共3个品种：
品种1：SMA系列：频率：DC-22GHz。
品种2：2.92系列：频率：DC-40GHz。
品种3：SMP系列：频率：DC-40GHz。 |
90 | 1707WZ0017 | 高压直流接触器 | 共3个品种：
品种1：动作时间：≤20ms；120V，200A，10 000次 120V，500A，50次。
品种2：动作时间：≤20ms；120V,100A,10 000次 120V，250A，50次。
品种3：动作时间：≤20ms；270V，200A，10 000次 270V，500A，50次。 |
91 | 1707WZ0018 | 大功率微波开关 | 共8个品种：
品种1、品种2：SPDT(单刀双掷)开关、SP4T(单刀四掷)开关：频率范围：0.1GHz～0.4GHz；驻波比：≤1.1。
品种3：SP4T(单刀四掷)开关：频率范围：0.1～0.8GHz；驻波比：≤1.3。
品种4：SPDT(单刀双掷)开关：频率范围：0.1GHz-4GHz；驻波比：≤1.25。
品种5：DPDT(双刀双掷)开关：频率范围：0.1GHz-4GHz；驻波比：≤1.25。
品种6：DPDT(双刀双掷)开关：频率范围：0.1GH～8GHz；驻波比：≤1.4。
品种7：SPDT(单刀双掷)开关：频率范围：0.1GHz-18GHz；驻波比：≤1.8。
品种6：SP3T(单刀三掷)开关：频率范围：0.1GHz-18GHz；驻波比：≤1.8。 |
92 | 1707WZ0019 | 表面安装光-MOS固态继电器 | 共6个品种：
品种1、品种2、品种3、品种4、品种5、品种6：输出电路组数：1H、2H、4H；输入电流：≤20mA；输出电流：双向±0.25A～1A。 |
93 | 1707WZ0020 | 小型气密封微动开关 | 共3个品种：
品种1：额定电压：28VDC，115VAC400Hz；接触电阻：≤25mΩ。
品种2：额定电压：28VDC；接触电阻：≤50mΩ。
品种3：额定电压：28VDC；接触电阻：≤50mΩ。 |
94 | 1707WZ0021 | 小型大功率电磁断路器 | 共5个品种：
品种1：级数：三极；额定电流：15A；额定电压：220V/380VAC(50Hz)，125VDC，145V/250VAC(400Hz)。
品种2：级数：二极；额定电流：55A；额定电压：220VAC(50Hz)，125VDC，145VAC(400Hz)。
品种3：级数：二极；额定电流：100A；额定电压：220VAC(50Hz)，125VDC，145VAC(400Hz)。
品种4：级数：一极；额定电流：200A；额定电压：220VAC(50Hz)，125VDC，145VAC(400Hz)。
品种5：级数：一极；额定电流：350A；额定电压：220VAC(50Hz)，125VDC，145VAC(400Hz)。 |
95 | 1707WZ0022 | 轻质吊放光（电）复合缆组件 | 共2个品种：
品种1、品种2： 2光、2光2电；光衰减：≤0.4dB/km（1310nm)；≤0.3dB/km(1550nm)；比重：≤1.2。 |
96 | 1707WY0001 | 隔离型微压差传感器 | 共4个品种：
品种1、品种2、品种3、品种4：测压范围：0～2kPa、7kPa、15kPa、30kPa系列；零点输出：1V±0.02V。 |
97 | 1707WY0002 | 微压传感器 | 共3个品种：
品种1、品种2、品种3：测量范围（kPa）：0～0.25、0～2.5、0～7.5；供电（mA）：1.5±0.1。 |
98 | 1707WY0003 | 高温动态压力传感器 | 共3个品种：
品种1、品种2、品种3：测量范围 (MPa)：0～0.7，0～7，0～21；准确度（ %FS）： ±0.3；零点输出（mV） ：±5；工作温度：-55℃～500℃。 |
99 | 1707WY0004 | 高温转速传感器 | 共3个品种：
品种1、品种2、品种3：测量范围（Hz）50～1000；50～2000；50～3000；测量精度：0.2%FS（550℃）；工作温度：-50℃～550℃。 |
100 | 1707WY0005 | 高过载MEMS陀螺仪 | 共1个品种：
抗冲击：16000g；测量范围：±1500°/s；零偏不稳定性：≤25°/h。 |
101 | 1707WY0006 | 小型抗振及抗冲击晶体振荡器 | 共9个品种：
品种1、品种2、品种3、品种4、品种5：抗振晶振：标称频率 40MHz，60MHz，80MHz，100MHz，120MHz；静态相噪 ≤-155dBc/Hz@1kHz；动态相噪 ≤-140dBc/Hz@1kHz；
品种6、品种7、品种8、品种9：抗冲击晶振：标称频率 10MHz，40MHz，60MHz，100MHz；电源电压 3.3V。 |
102 | 1707WY0007 | 星用高频高稳恒温晶体振荡器 | 共4个品种：
品种1、品种2、品种3、品种4：标称频率：50MHz、80MHz、100MHz、120MHz；电源电压：12V；输出波形：正弦波。 |
103 | 1707WY0008 | 基于多功能芯片的低功耗低相噪恒温晶振 | 共4个品种，产品指标（常温）：
品种1：输出频率8MHz～20MHz，输出功率≥5dBm。
品种2：输出频率20MHz～40MHz，输出功率≥5dBm。
品种3：输出频率40MHz～80MHz，相输出功率≥5dBm。
品种4：输出频率80MHz～120MHz，输出功率≥5dBm。 |
104 | 1707WY0009 | 星载高可靠开关 | 共4个品种：
品种1：中心频率：9.6GHz；工作带宽：0.2GHz；电压驻波比：1.2。
品种2：中心频率：17.0GHz；工作带宽：0.2GHz；电压驻波比：1.2。
品种3：中心频率：21.1GHz；工作带宽：0.4GHz；电压驻波比：1.25。
品种4：中心频率：35GHz；工作带宽：0.5GHz；电压驻波比：1.3。 |
105 | 1707WY0010 | 超宽带大功率环行器 | 共4个品种：
品种1：工作频率：0.4～2GHz；相对带宽：≥25%。
品种2：工作频率：2～8GHz；相对带宽：≥50%。
品种3：工作频率：8～18GHz；相对带宽：满带。
品种4：工作频率：26.5～40GHz；相对带宽：满带。 |
106 | 1707WY0011 | 小型慢断熔断器 | 共5个品种：
品种1、品种2、品种3、品种4、品种5：额定电流：1A/2A/3A/5A/7A；熔断时间：1倍额定电流时4小时内不熔断，2倍额定电流时熔断时间1s～60s，8倍额定电流时熔断时间0.02s～0.1s。 |
107 | 1707WY0012 | 小型低损耗声表滤波器 | 共4个品种：
品种1：工作频率：1268.52MHz；带宽：≥21MHz。
品种2：工作频率：1561MHz；带宽：≥4.5MHz。
品种3：工作频率：1575MHz；带宽：≥2.5MHz。
品种4：工作频率：1602MHz；带宽：≥8MHz。 |
108 | 1707WY0013 | 星用声表面波滤波器 | 共10个品种：
品种1：中心频率： 217.5 MHz；插入损耗：≤4dB。
品种2：中心频率： 405 MHz；插入损耗：≤3.5dB。
品种3：中心频率： 466.26 MHz；插入损耗：≤4.0dB。
品种4：中心频率： 507 MHz；插入损耗：≤4.0dB。
品种5：中心频率： 967 MHz；插入损耗：≤5.0dB。
品种6：中心频率： 140 MHz；插入损耗：≤4dB。
品种7：中心频率：290.5 MHz；插入损耗：≤4dB。
品种8：中心频率： 399 MHz；插入损耗：≤5dB。
品种9：中心频率： 440 MHz；插入损耗：≤5dB。
品种10：中心频率： 750 MHz；插入损耗：≤6dB。 |
109 | 1707WY0014 | 小型化磁性宽带滤波器 | 共4个品种：
品种1：工作频率：150MHz；工作带宽：50MHz；插入损耗：≤3dB。
品种2：工作频率：375MHz；工作带宽：200MHz；插入损耗：≤2dB。
品种3：工作频率：700MHz；工作带宽：400MHz；插入损耗：≤1.4dB。
品种4：工作频率：1800MHz；工作带宽：1000MHz；插入损耗：≤2dB。 |
110 | 1707WY0015 | 多阻带数控陷波YIG滤波器 | 共4个品种：
品种1：工作频率：0.9-2GHz；阻带数：3；插损：≤6dB。
品种2：工作频率：2-6GHz；阻带数：2；插损：≤4dB。
品种3：工作频率：2-8GHz；阻带数：2；插损：≤7.5dB。
品种4：工作频率：6-18GHz；阻带数：2；插损：≤4dB。 |
111 | 1707WY0016 | 有机导电聚合物固体电解质钽电容器 | 共8个品种：
品种1：额定电压：6.3V，额定容量：1500uF。
品种2：额定电压：10.0V，额定容量：1000uF。
品种3：额定电压：16.0V，额定容量：680uF。
品种4：额定电压：25.0V，额定容量：470uF。
品种5：额定电压：40.0V，额定容量：330uF。
品种6：额定电压：50.0V，额定容量：220uF。
品种7：额定电压：63.0V，额定容量：100uF。
品种8：额定电压：75.0V，额定容量：75uF。 |
112 | 1707WY0017 | 片式有机导电聚合物固体电解质铝电容器 | 共8个品种：
品种1：额定电压：2.0V，额定容量：470uF。
品种2：额定电压：2.5V，额定容量：330uF。
品种3：额定电压：4.0V，额定容量：220uF。
品种4：额定电压：6.3V，额定容量：180uF。
品种5：额定电压：10.0V，额定容量：150uF。
品种6：额定电压：12.5V，额定容量：100uF。
品种7：额定电压：16.0V，额定容量：100uF。
品种8：额定电压：20.0V，额定容量：68uF。 |
113 | 1707WY0018 | 飞行器用低漏感高可靠脉冲变压器 | 共4个品种：
品种1：输入电压：10～18V；输出功率：30W；工作频率：50kHz。
品种2：输入电压：20～30V；输出功率：350W；工作频率：40kHz。
品种3：输入电压：24～30V；输出功率：500W；工作频率：50kHz。
品种4：输入电压：80～100V；输出功率：1700W；工作频率：50kHz。 |
114 | 1707WM0001 | 6英寸半绝缘砷化镓衬底材料 | 1个品种： 直径：150±0.4mm；电阻率：≥1×108Ω•cm；径向电阻率不均匀性：≤30%；迁移率：≥4500cm2/V•s；表面质量：双面抛光。 |
115 | 1707WM0002 | 4英寸磷化铟单晶片 | 1个品种： 直径：100±0.3mm；电阻率：≥1E7Ω•cm；迁移率：≥2E3cm2/V•s；位错密度：≤5E3/cm2；表面质量：双面抛光，表面无划痕、崩边、沾污和雾等缺陷。 |
116 | 1707WM0003 | 表层增益和平面波导高能YAG激光板条 | 共2个品种： 品种1：板条尺寸（mm3）：（2±0.02）×（28±0.5）×（121±0.5）；掺杂浓度（at%）：1.5±0.15；波前畸变@633nm≤0.1λ/英寸；消光比≥30dB。 品种2：板条尺寸（mm3）：（5.0±0.02）×（20±0.5）×（75±0.5）；掺杂浓度（at%）：5±0.5；波前畸变@633nm≤0.1λ/英寸；消光比≥30dB。 |
117 | 1707WM0004 | 120mm CdZnTe晶体材料 | 1个品种： 晶体直径：120±2mm；衬底尺寸：70mm×70mm；衬底厚度：950±50μm；平均位错腐蚀坑密度（EPD）：≤5×104cm-2；红外透过率（4000～400cm-1）：≥60%；表面粗糙度（Ra）：≤1nm。 |
118 | 1707WM0005 | 锂氟化碳电池正极材料 | 1个品种： 比能量：＞2000Wh/kg（金属锂负极，截止电压1.5V，0.05C）；比能量：＞1500Wh/kg（金属锂负极，截止电压1.5V，1C）；具备年产300公斤氟化碳材料能力，提供的合格氟化碳材料累计不低于100公斤。 |
119 | 1707WM0006 | 射频MEMS用区熔硅单晶材料 | 1个品种： 直径：150±0.3mm；电阻率：≥10000Ω•cm；型号:P型； 厚度：625±10μm；TTV：≤3μm；Warp：≤15μm。 |
120 | 1707WM0007 | 6英寸SiC电力电子器件用外延材料 | 1个品种： 外延厚度范围5～100 μm稳定可控；实现N型掺杂浓度1E14～2E19 cm-3稳定可控；外延片片内掺杂浓度偏差<5%,厚度偏差2%；批次间掺杂浓度偏差<5%,批次间外延厚度偏差<5%。 |
121 | 1707WM0008 | 高阻Ga2O3单晶材料 | 1个品种： 晶体尺寸：≥2英寸；XRD FWHM：≤50arcsec；电阻率：≥108Ω·cm；位错密度：≤105cm-2；表面粗糙度：≤0.5nm。 |
122 | 1707WM0009 | 3英寸YLF系列激光晶体 | 共2个品种： 产品1：晶坯直径≥φ75mm×100mm；掺钕浓度：（0.18±0.05）at%；元件尺寸：（40～50）×（60～70）×（1～4）mm3；消光比≥35dB。 产品2：晶坯直径≥φ75mm×100mm；晶向：a轴（<100>方向）；掺钬浓度：（1.0±0.1）at%；元件尺寸：（30～40）×（70～80）×（2～4）mm3；消光比≥35dB。 |
123 | 1707WM0010 | 稀土离子铒镱共掺双折射光导材料 | 1个品种： 工作波长:1530-1625nm；纤芯直径:12±1.5µm；包层直径:130±2.0µm；涂覆层直径:215±5.0µm；包层衰减@1095nm: ≤30dB/km；纤芯数值孔径:0.20±0.02；内包层数值孔径:≥0.46。 |
124 | 1707WM0011 | 3英寸II类超晶格红外焦平面探测器外延材料 | 1个品种： 尺寸：76.2mm±0.5mm；零级峰与衬底的晶格失配≤1×10-3，一级卫星峰半峰宽≤30sec；径向厚度偏差：≤±2%；连续生长4片厚度涨落：≤±2%；量子效率：≥40%；响应截止波长：≥12.5μm；峰值探测率：D*λ≥6×1010cmHz1/2/W。 |
125 | 1707WM0012 | 硅碳材料 | 共3个品种： 品种1：粒度D50： 10～20 µm；比表面积：≤4m2/g；比容量：≥400 mAh/g( 0.1C，0.01～2V,vs.Li+/Li)。 品种2：粒度D50： 10～20 µm；比表面积：≤8m2/g；比容量：≥450 mAh/g( 0.1C，0.01～2V,vs.Li+/Li)。 品种3：粒度D50： 10～20 µm；比表面积：≤12m2/g；比容量：≥500 mAh/g( 0.1C，0.01～2V,vs.Li+/Li)。 |
126 | 1707WM0013 | 钽酸锂晶片 | 1个品种： 直径：Φ100.0±0.20mm；厚度：0.25±0.05mm；居里温度：605±3℃； 黑化后指标：体积电阻率（Ω·cm）：0.99E+10～9.9E+10；光透过率：＜65%（@365nm）。 |
127 | 1707WM0014 | 抗辐照稀土永磁材料系列 | 共3个品种： 产品1：温度系数α（%/℃）：-0.02～+0.02（-55℃～+155℃）；剩磁Br（T）：≥0.8；矫顽力HcB(kA/m)：≥520；最大磁能积（BH）max(kJ/m3):130±16。 产品2：温度系数α（%/℃）：0～-0.025（-55℃～+155℃）；剩磁Br（T）：≥0.93；矫顽力HcB(kA/m)：≥640；最大磁能积（BH）max(kJ/m3):183±16。 产品3：温度系数α（%/℃）：0～-0.035（-55℃～+155℃）；剩磁Br（T）：≥1.05；矫顽力HcB(kA/m）≥720；最大磁能积（BH）max(kJ/m3):223±16。 |
128 | 1707WM0015 | 抗强电磁脉冲/雷达吸波轻质复合材料 | 共2个品种： 产品1：窄带高功率微波电磁脉冲屏蔽效能：≥60dB；厚度：≤5mm；密度：≤2.0g/cm3；拉伸强度：≥450MPa；弯曲强度：≥350MPa。 产品2：窄带高功率微波电磁脉冲屏蔽效能：≥60dB；厚度：≤50mm；密度：≤0.7g/cm³；材料承受下列静载荷，无塑性变形或损坏：均布载荷：3kN/m2，集中载荷：面积500mm×500mm载荷10kN。 |
129 | 1707WP0001 | 铝合金一体化封装金属外壳 | 共2个品种： 材料：壳体采用铝合金6061，盖板采用激光焊适配的铝合金；壳体导热率：≥125 W/( m•K)；其他指标符合GJB2440A-2006《混合集成电路外壳通用规范》。 |
130 | 1707WP0002 | 电源电路用大电流CLGA外壳 | 共2个品种： 材料：适合布线导体≤7mΩ/□的高温共烧氧化铝陶瓷；最大承载电流：单通道≥8A，双通道≥10A；低电阻端导通电阻：≤20mΩ；导体方阻：≤7mΩ/□；其他指标符合GJB 1420B 《半导体集成电路外壳通用规范》。 |
131 | 1707WP0003 | 高隔离电压CSOP外壳 | 共2个品种： 材料：Al2O3,4J42；隔离电压：CSOP16-1.27≥3500Vrms；CSOP16-0.635≥1500Vrms；其他指标符合GJB 1420B 《半导体集成电路外壳通用规范》。 |
132 | 1707WP0004 | 高隔离电压CDFN陶瓷外壳 | 共3个品种： 材料：氧化铝陶瓷,封接环和盖板用4J42铁镍合金；耐压（KV）≥3.5（CDFN4-1.27)；耐压（KV）≥2（CDFN6-1.27、CDFN8-1.27)；恒定加速度：30000g；平面度：≤0.05㎜；其它指标符合GJB 1420B 《半导体集成电路外壳通用规范》。 |
133 | 1707WP0005 | 0.8mm节距高速FC-CLGA外壳 | 共2个品种： 主要材料：氧化铝陶瓷瓷件、可伐封口环；节距：0.8mm；最高应用采样速度：5GSPS；模拟端信号最高频率：24GHz；插入损耗S21：≤1dB(24GHz)； 电压驻波比：VSWR：≤1.5(24GHz)；导体方阻：≤15mΩ；高速信号路数：≥4；其他指标符合GJB 1420B 《半导体集成电路外壳通用规范》。 |
134 | 1707WP0006 | SMD阵列陶瓷外壳系列 | 共2个品种： 材料：氧化铝陶瓷，热沉乌铜、钼铜，封口环4J29或4J42。单元个数：≥2个；密封区平面度：≤50μm；输入/输出端电阻：≤20mΩ；热阻θjc：≤2℃/W；其它指标符合GJB 1420B-2011《半导体集成电路外壳通用规范》。 |
135 | 1707WP0007 | 钼铜衬底LTCC一体化封装外壳 | 共2个品种： 引出端数：22、25，其中射频引出端数：7、5；材料：底板钼铜、环框可伐、LTCC基板；结构：腔体式结构、平行缝焊结构；高频性能（Ka、Ku波段）：驻波比≤1.3dB；插损≤0.3dB；其他指标符合GJB 2440A-2006《混合集成电路外壳通用规范》。 |
136 | 1707WP0008 | U波段平面传输型陶瓷外壳 | 共2个品种： 材料：可伐墙体；钼铜/钨铜基板；氧化铝陶瓷绝缘子；封装形式：带法兰陶瓷绝缘子金属外壳形式；应用频率：40～60GHz；传输线端子回波损耗：≤-10dB（@40～60GHz）；传输线端子插损：≤3dB（@40～60GHz）；射频隔离度：≥30dB（@40～60GHz）；其他指标符合GJB923《半导体分立器件外壳通用规范》 |
137 | 1707WP0009 | 抗高过载带圆形光窗金属外壳 | 共3个品种： 品种1：产品外形尺寸：φ6mm；通光孔直径: ≥φ2.5mm；透过率: ≥99%(λ=905nm)；最大抗过载能力: ≥30000g。 产品2：产品外形尺寸：φ9mm；通光孔直径: ≥φ3mm；透过率: ≥99%(λ=905nm)； 最大抗过载能力: ≥30000g。 产品3：产品外形尺寸：φ15mm；通光孔直径: ≥φ5mm；透过率: ≥99%(λ=905nm)；最大抗过载能力: 轴向≥16000g，径向25000g。 其他指标符合GJB 5438 《光电器件金属外壳通用规范》 |
138 | 1707WP0010 | 100Gbps光电调制解调器金属外壳 | 共3个品种： 基体材料：不锈钢；结构：腔体式平行缝焊结构；高频传输端子（自制）电压驻波比：≤1.25（Freq≤26.5GHz），≤1.35（Freq≤40GHz），≤1.5（Freq≤65GHz）；其它指标符合GJB 2440A-2006《混合集成电路外壳通用规范》。 |
139 | 1707WP0011 | 带硒化锌光窗金属外壳 | 共2个品种： 材料：光窗：硒化锌，绝缘子：氧化铝陶瓷，底板：钨铜，边框：铁镍合金，引线：4J29。产品结构：采用陶瓷-金属封装；关键指标：光透率99%以上，工作波段3～12μm；其它指标符合GJB5438-2005半导体光电子器件外壳通用规范。 |
140 | 1707WP0012 | 宇航级混合集成电路金属外壳气密性技术攻关 | 共4个品种： 基体材料：可伐、冷轧钢作为基体材料；封盖形式：平行缝焊（2个品种）和储能焊（2个品种）；绝缘子：玻璃绝缘子和陶瓷绝缘子；气密性、PIND指标按GJB548相关标准执行；引线数：10～30。 |
141 | 1707WP0013 | 金属外壳铝丝（100μm～500μm）键合脱键问题技术攻关 | 共2个品种： 分立器件用外壳：300℃24h稳定性烘焙、按GJB548中方法1010试验条件F循环500次、125℃1000h寿命试验或按产品详细规范试验后，键合强度试验符合标准且不脱键；至少两种外壳：包含SMD外壳和TO外壳；引线包含100μm、200μm、380μm3种直径铝丝；提供金属外壳粗铝丝键合失效模式分析报告、失效机理分析报告、粗铝丝键合金属外壳在线和出厂的键合检验规范或标准（推荐）、粗铝丝键合的金属外壳使用手册。
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